大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(l哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读uò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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